【導(dǎo)讀】隨著無(wú)線(xiàn)設(shè)備的普及，如今需要強(qiáng)大的信號(hào)強(qiáng)度和高質(zhì)量的RF天線(xiàn)設(shè)計(jì)和集成，以實(shí)現(xiàn)最佳性能。無(wú)論是現(xiàn)成的產(chǎn)品還是高度定制的解決方案，天線(xiàn)集成都不是微不足道的，也不應(yīng)該是事后的想法。必須將天線(xiàn)輸入阻抗匹配到50Ω，以確保從RF電路到天線(xiàn)的最大功率傳輸，而不會(huì)產(chǎn)生任何反射。
隨著無(wú)線(xiàn)設(shè)備的普及，如今需要強(qiáng)大的信號(hào)強(qiáng)度和高質(zhì)量的RF天線(xiàn)設(shè)計(jì)和集成，以實(shí)現(xiàn)最佳性能。無(wú)論是現(xiàn)成的產(chǎn)品還是高度定制的解決方案，天線(xiàn)集成都不是微不足道的，也不應(yīng)該是事后的想法。必須將天線(xiàn)輸入阻抗匹配到50Ω，以確保從RF電路到天線(xiàn)的最大功率傳輸，而不會(huì)產(chǎn)生任何反射。
射頻天線(xiàn)的關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)方面
實(shí)現(xiàn)走線(xiàn)或芯片天線(xiàn)的最關(guān)鍵因素之一是天線(xiàn)與無(wú)線(xiàn)電芯片的阻抗匹配。天線(xiàn)在組裝在產(chǎn)品中時(shí)必須進(jìn)行阻抗匹配，因?yàn)樘炀€(xiàn)不匹配可能會(huì)導(dǎo)致以下后果：
減少范圍損失：阻抗不匹配會(huì)導(dǎo)致更多的信號(hào)反射，從而為天線(xiàn)輻射到自由空氣中提供更少的功率，從而縮小范圍
在特定所需工作頻率下減少天線(xiàn)的回波損耗：在所需的工作頻率下，天線(xiàn)應(yīng)具有至少-10 dB或更小的回波損耗。阻抗失配會(huì)增加所需頻率范圍內(nèi)的回波損耗，從而導(dǎo)致在該頻率范圍內(nèi)傳輸?shù)教炀€(xiàn)的RF功率減少
更高的耗電量：由于阻抗不匹配引起的信號(hào)反射導(dǎo)致天線(xiàn)輻射的功率較小。這將要求RF芯片以更大的功率傳輸信號(hào)以達(dá)到所需的范圍，從而增加整體功耗
由于信號(hào)反射導(dǎo)致射頻芯片發(fā)熱：由于阻抗不匹配引起的信號(hào)反射導(dǎo)致射頻能量回流到發(fā)射器中，從而導(dǎo)致發(fā)射器發(fā)熱，從而延長(zhǎng)發(fā)射器的使用壽命
不可靠的數(shù)據(jù)吞吐量：由于阻抗不匹配，信號(hào)反射引起的較高數(shù)據(jù)包誤碼率（PER）和RF收發(fā)器的數(shù)據(jù)吞吐量可能不是該產(chǎn)品的最佳選擇
大多數(shù)PCB走線(xiàn)或芯片天線(xiàn)被構(gòu)造為四分之一波單極子，這需要所有PCB層上的堅(jiān)實(shí)接地層才能正常工作。該接地層被稱(chēng)為“對(duì)位”，并且很重要，因?yàn)樗洚?dāng)單極天線(xiàn)的假極，使其像完整的偶極子天線(xiàn)一樣運(yùn)行。
平衡的長(zhǎng)度和寬度應(yīng)至少為 λ/4 個(gè)單位。下圖使用芯片天線(xiàn)實(shí)現(xiàn)示例顯示了各種接地層尺寸的影響。
此外，PCB材料也會(huì)影響天線(xiàn)系統(tǒng)阻抗。特別是對(duì)于FR4型基材，其還取決于編織圖案，根據(jù)編織的緊密性導(dǎo)致材料的介電常數(shù)發(fā)生變化，并且由于寄生電容的變化可能導(dǎo)致局部阻抗不連續(xù)。對(duì)于PCB走線(xiàn)天線(xiàn)的實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員必須嚴(yán)格遵循天線(xiàn)設(shè)計(jì)指南和天線(xiàn)制造商在走線(xiàn)寬度、層堆疊、平衡尺寸、PCB材料和材料編織圖案方面的建議，以便在實(shí)現(xiàn)走線(xiàn)或芯片天線(xiàn)時(shí)獲得最佳結(jié)果。天線(xiàn)系統(tǒng)阻抗還受到其周?chē)钠渌娐方M件和產(chǎn)品外殼材料的影響，應(yīng)予以考慮。
使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 （VNA） 調(diào)試天線(xiàn)
阻抗不匹配可以使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 （VNA） 進(jìn)行調(diào)試。默認(rèn)情況下，VNA 在校準(zhǔn)平面上進(jìn)行測(cè)量，并且需要在進(jìn)行測(cè)量之前進(jìn)行校準(zhǔn)。為了匹配天線(xiàn)和RF芯片之間的阻抗，需要測(cè)量回波損耗（RL），也稱(chēng)為S11參數(shù)。
讓我們了解矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）的校準(zhǔn)方法
大多數(shù) VNA 都帶有 N 型連接器作為其端口。調(diào)試任何天線(xiàn)系統(tǒng)的第一步是使用 N 型到 SMA 電纜和各種（開(kāi)路、短路和 50Ω）校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)，在校準(zhǔn)平面上校準(zhǔn) VNA。VNA必須連接到天線(xiàn)系統(tǒng)，以便匹配網(wǎng)絡(luò)也包含在測(cè)量過(guò)程中。這可以通過(guò)在“MC1”處安裝一個(gè)0Ω串聯(lián)電阻并使用稱(chēng)為“端口擴(kuò)展”的合適電纜來(lái)完成。端口擴(kuò)展必須具有已知的長(zhǎng)度和已知的速度因子，因?yàn)樾枰獙⒋藬?shù)據(jù)饋入VNA，以補(bǔ)償端口擴(kuò)展在測(cè)量過(guò)程中增加到系統(tǒng)的額外長(zhǎng)度和阻抗。此外，應(yīng)選擇端口擴(kuò)展，使其特性阻抗與目標(biāo)系統(tǒng)阻抗相匹配。
校準(zhǔn)VNA的另一種方法是使用匹配的元件焊盤(pán)在PCB本身上創(chuàng)建短路/開(kāi)路/負(fù)載（SOL）條件。這不需要應(yīng)用端口擴(kuò)展。根據(jù)董事會(huì)的實(shí)施情況，應(yīng)從兩者中選擇合適的方法。
使用史密斯圖進(jìn)行阻抗匹配
VNA以復(fù)數(shù)R+jX Ω形式提供天線(xiàn)系統(tǒng)的阻抗，其中R是由純電阻引起的阻抗的實(shí)部，X是由電抗引起的阻抗的復(fù)數(shù)部分。獲得天線(xiàn)系統(tǒng)的復(fù)阻抗后，可以將其繪制在“史密斯圖”上，以確定所需匹配組件的值和拓?fù)?。如今，這可以使用諸如“ SimSmith”之類(lèi)的程序輕松完成。
將天線(xiàn)系統(tǒng)的復(fù)阻抗饋入 SimSmith 將導(dǎo)致在史密斯圖上的相應(yīng)點(diǎn)上繪制一個(gè)點(diǎn)。如上圖所示，天線(xiàn)系統(tǒng)的復(fù)阻抗可以位于史密斯圖的電感或電容兩半中。通過(guò)利用幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)來(lái)確定匹配的網(wǎng)絡(luò)組件以使天線(xiàn)系統(tǒng)與目標(biāo)匹配負(fù)載匹配：
串聯(lián)電感沿恒定電阻圈順時(shí)針?lè)较蛞苿?dòng)繪制的復(fù)阻抗點(diǎn)
串聯(lián)電容器沿恒定電阻圈以逆時(shí)針?lè)较蛞苿?dòng)繪制的復(fù)阻抗點(diǎn)
并聯(lián)電感沿恒定圓逆時(shí)針?lè)较蛞苿?dòng)繪制的復(fù)阻抗點(diǎn)
并聯(lián)電容器沿恒定電導(dǎo)圈順時(shí)針?lè)较蛞苿?dòng)繪制的復(fù)阻抗點(diǎn)
串聯(lián)或并聯(lián)配置中可能需要多個(gè)組件或多個(gè)組件的組合，以匹配目標(biāo)阻抗
最好使用串聯(lián)電感器和并聯(lián)電容器，因?yàn)樵黾觾烧叩脑禃?huì)導(dǎo)致繪制的阻抗點(diǎn)沿恒定電阻/電導(dǎo)圓的軌跡進(jìn)一步移動(dòng)。這是有利的，因?yàn)殡姼谢螂娙萜鞯臉O低值實(shí)際上無(wú)法實(shí)現(xiàn)
使用單個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)通常會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)帶寬下降，可以使用匹配網(wǎng)絡(luò)的多個(gè)階段來(lái)實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)钠ヅ浜妥罴褞?/p>
例如，下圖顯示了使用串聯(lián)電感和并聯(lián)電容器將復(fù)阻抗為25+j8.5Ω的天線(xiàn)系統(tǒng)與目標(biāo)阻抗為50Ω的匹配。
盡管阻抗匹配看起來(lái)很復(fù)雜，但它確保了任何無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品的最佳性能，否則天線(xiàn)可能會(huì)成為產(chǎn)品性能的瓶頸。
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