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人工智能對數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施帶來了哪些挑戰(zhàn)
在加密貨幣和人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）等新興應(yīng)用的驅(qū)動下，數(shù)據(jù)中心的能耗巨大，并將快速增長以滿足用戶需求。根據(jù)國際能源署（IEA）的最新報告，2022 年數(shù)據(jù)中心的耗電量將達(dá)到 460 TWh（太瓦時），約占全球總用電量的 2%。在美國，擁有全球三分之一的數(shù)據(jù)中心，耗電量為 260 TWh，占總用電量的...
2024-12-29
人工智能 數(shù)據(jù)中心
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意法半導(dǎo)體基金會：通過數(shù)字統(tǒng)一計劃彌合數(shù)字鴻溝
在意法半導(dǎo)體，我們致力于以正向影響力促進(jìn)專業(yè)技能的發(fā)展，并透過 ST 基金會在全球推行多元教育計劃。我們的使命是發(fā)展、協(xié)調(diào)并贊助以現(xiàn)代科學(xué)與技術(shù)推動人類進(jìn)步的項(xiàng)目。
2024-12-29
意法半導(dǎo)體 數(shù)字
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
數(shù)據(jù)中心 SiC MOSFET
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如何通過基本描述找到需要的電容？
本文介紹了電容的基本描述，包含了其類型、尺寸、容值、容差和額定電壓。了解這些參數(shù)可以幫助你準(zhǔn)確地選擇和訂購所需的電容元件。
2024-12-28
電容
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低功耗嵌入式設(shè)計簡介
當(dāng)產(chǎn)品主要設(shè)計用于電池供電時，一切都會發(fā)生變化。小型電池存儲的能量非常有限，但消費(fèi)者想要非常緊湊（讀作“對于大尺寸電池來說太小”）并且不需要充電的高性能（讀作“高功率”）設(shè)備每二十分鐘。設(shè)計師要做什么？
2024-12-28
嵌入式設(shè)計
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NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實(shí)例上加速下一代數(shù)據(jù)分析
數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技（AWS）最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實(shí)例實(shí)現(xiàn)集成，該實(shí)例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù)，為云原生數(shù)據(jù)分析工作負(fù)載帶來了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
NeuroBlade
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2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化
縱觀2024年，存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計算、云端應(yīng)用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級UFS 4.0推動行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應(yīng)用需求，...
2024-12-27
高性能SSD
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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場經(jīng)理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國臺灣銷售與市場經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡稱為東盟）市場經(jīng)理！這一重要晉升不僅是對 Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認(rèn)可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。
2024-12-26
ASEAN
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邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響
過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年2...
2024-12-26
GaN技術(shù)
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