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日本和泉上市強(qiáng)制導(dǎo)向繼電器“RF1V”和插座“SF1V”

發(fā)布時間:2009-08-18

新聞事件:
  • 日本和泉(IDEC)2009年8月7日上市了強(qiáng)制導(dǎo)向繼電器“RF1V”和插座“SF1V”
事件影響:
  • 強(qiáng)制導(dǎo)向繼電器可通過連接在接極片上的導(dǎo)向裝置來強(qiáng)制性開閉觸點(diǎn)
  • 新產(chǎn)品的強(qiáng)制導(dǎo)向觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)符合EN50205 Type A TUV認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)


日本和泉(IDEC)2009年8月7日上市了強(qiáng)制導(dǎo)向繼電器“RF1V”和插座“SF1V”。強(qiáng)制導(dǎo)向繼電器是一種用于檢測觸點(diǎn)熔敷及破損等所致故障的安全設(shè)備。與安全開關(guān)、安全保護(hù)光幕及緊急停止開關(guān)等組合使用,可構(gòu)成控制輸入觸點(diǎn)等的功率的安全電路。

強(qiáng)制導(dǎo)向繼電器可通過連接在接極片上的導(dǎo)向裝置來強(qiáng)制性開閉觸點(diǎn)。遵照EN50205的要求,a觸點(diǎn)和b觸點(diǎn)獨(dú)立組裝,比如,當(dāng)a觸點(diǎn)熔敷時,截止繼電器線圈(無勵磁狀態(tài)),正常時應(yīng)關(guān)閉的b觸點(diǎn)也不關(guān)閉,可確保0.5mm以上的觸點(diǎn)間隙。b觸點(diǎn)熔敷時相反,導(dǎo)通線圈(勵磁狀態(tài)),a觸點(diǎn)也不關(guān)閉,可確保0.5mm以上的觸點(diǎn)間隙。

新產(chǎn)品的強(qiáng)制導(dǎo)向觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)符合EN50205 Type A TUV認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。響應(yīng)時間在8ms以下。在截止線圈電壓的8ms內(nèi)(沒有防止反向電壓的二極管時),a觸點(diǎn)關(guān)閉?;謴?fù)時間為20ms以下。誤操作時的耐沖擊性能為200m/s2以上。也可在使用機(jī)床等容易發(fā)生振動及沖擊的場所使用。

備有4極型和6極型。前者包括觸點(diǎn)構(gòu)成為2a2b/3a1b的兩種,后者包括4a2b/5a1b/3a3b的三種。另外,還可選擇有無LED(發(fā)光二極管)顯示的配置。價格為1250~1600日元(不含稅)。

插座符合VDE和UL/c-UL認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。有DIN導(dǎo)軌用和印刷電路板用兩種,分別支持4極型和6極型繼電器。價格為390~1250日元(不含稅)。



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