【導(dǎo)讀】宣布獲得韓國(guó)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)廠商購(gòu)買(mǎi)Primo SSC AD-RIE™（中微單反應(yīng)臺(tái)等離子體刻蝕設(shè)備）的重復(fù)訂單。該設(shè)備被客戶用于16納米關(guān)鍵閃存芯片加工的首選設(shè)備，將用于大批量芯片生產(chǎn)。
中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（簡(jiǎn)稱“中微”）宣布獲得韓國(guó)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)廠商購(gòu)買(mǎi)Primo SSC AD-RIE™（中微單反應(yīng)臺(tái)等離子體刻蝕設(shè)備）的重復(fù)訂單。該設(shè)備被客戶認(rèn)可為用于16納米關(guān)鍵閃存芯片加工的首選設(shè)備（PTOR），將用于大批量芯片生產(chǎn)。此前，中微的Primo SSC AD-RIE™通過(guò)客戶生產(chǎn)線上嚴(yán)格的驗(yàn)證，取得了比其他同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品更加優(yōu)異的結(jié)果。中微現(xiàn)在正在和客戶合作研究開(kāi)發(fā)DRAM和3D NAND工藝。
圖1：中微單反應(yīng)臺(tái)等離子體刻蝕設(shè)備Primo SSC AD-RIE(TM)
中微副總裁兼韓國(guó)區(qū)總經(jīng)理尹敬一表示，中微設(shè)備成為“PTOR”標(biāo)志著中微取得了一項(xiàng)重大進(jìn)展，他說(shuō)道：“很明顯，現(xiàn)在處于世界前沿的客戶不單單想從供應(yīng)商那兒尋找新設(shè)備，他們還希望能夠?yàn)閺?fù)雜的生產(chǎn)過(guò)程帶來(lái)的挑戰(zhàn)尋求全面解決方案。這就要求先進(jìn)技術(shù)和相關(guān)專業(yè)知識(shí)緊密聯(lián)系在一起，正是依靠這種模式，我們?yōu)樵摽蛻艚鉀Q了生產(chǎn)過(guò)程中碰到的各種問(wèn)題，使得客戶的閃存芯片開(kāi)發(fā)取得新的進(jìn)展。”
Primo SSC AD-RIE™是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蝕設(shè)備產(chǎn)品，能夠滿足超高產(chǎn)能、優(yōu)異的芯片加工質(zhì)量和芯片刻蝕技術(shù)可延展性等嚴(yán)苛的技術(shù)要求。Primo SSC AD-RIE™的晶圓傳遞平臺(tái)可配置多達(dá)6個(gè)單晶圓加工反應(yīng)器，每個(gè)反應(yīng)器可以獨(dú)立地設(shè)定加工條件，從而靈活地實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的工藝控制。每個(gè)反應(yīng)器有極高的抽速，并有多區(qū)氣體分布、動(dòng)態(tài)射頻功率以及多區(qū)溫度控制等可獨(dú)立調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)。而在線工藝微調(diào)和穩(wěn)固的腔體設(shè)計(jì)避免了高深寬比刻蝕工藝中常出現(xiàn)的刻蝕停止現(xiàn)象以及工藝飄移現(xiàn)象的發(fā)生，從而提高刻蝕的重復(fù)性并更容易實(shí)現(xiàn)反應(yīng)器之間的良好匹配，能夠大大提高生產(chǎn)效率。
中微刻蝕設(shè)備的一大關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于它的配置極具靈活性。它在同一個(gè)主機(jī)系統(tǒng)上可以配備雙反應(yīng)器實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)出和低成本，或者也可以配備單反應(yīng)器以滿足關(guān)鍵刻蝕工藝中高抽速等要求。這種配置的靈活性還體現(xiàn)在氣體控制系統(tǒng)的安裝上，他們既可以置于地面以便于維護(hù)，也可以置于設(shè)備上方以減少占地面積。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注冊(cè)商標(biāo)。
