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反激式LED驅(qū)動設(shè)計(jì)中是如何校正功率因數(shù)的?

發(fā)布時(shí)間:2014-04-24 責(zé)任編輯:sherryyu

【導(dǎo)讀】LED憑借著它使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性,得到廣泛的應(yīng)用。但是也使得LED照明的要求更高,為了達(dá)到高要求的照明要求,通常會用一個(gè)集成PFC的單級反激式轉(zhuǎn)換器,和各種反激式拓?fù)潆娐?。簡化了電路,也降低了成本,那么到底它們是如何來校正功率因素的呢?且看下文?/strong>
 
作為一種固態(tài)光源,發(fā)光二級管(LED)具備使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性,因此得到了廣泛應(yīng)用。目前,LED正在取代現(xiàn)有的照明光源,如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點(diǎn)亮LED,需要用恒定電流進(jìn)行操作,而且必須具有高功率因數(shù)。除了適用于固態(tài)照明的最新EnergyStar®指令要求功率超過3 W的照明光源具有大于0.9的功率因數(shù),鎮(zhèn)流器輸入線路電流諧波還需要滿足IEC61000-3-2 C類規(guī)范的要求。
 
為了達(dá)到這些LED照明應(yīng)用要求,通常會在低功率(<25 W) LED照明應(yīng)用中使用一個(gè)集成PFC的單級反激式轉(zhuǎn)換器。此外,在各種反激式拓?fù)潆娐分?,初級端調(diào)節(jié)(PSR)反激式電路是最為經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。通過使用具有初級端調(diào)節(jié)(PSR)的單級拓?fù)?,LED照明電路板無需輸入電解電容和反饋電路,可用極少的外部元件來完成,從而將成本降至最低。圖1所示為單級PSR反激式LED驅(qū)動器電路。
 
具有高功率因數(shù)的單級PSR反激式LED驅(qū)動器
圖 1: 具有高功率因數(shù)的單級PSR反激式LED驅(qū)動器
 
對于初級端調(diào)節(jié),通常優(yōu)先使用非連續(xù)導(dǎo)通工作模式(DCM),因?yàn)樗芴峁O為精確的輸出調(diào)節(jié)[1]。為了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)和低總諧波失真(THD),通常會在開關(guān)頻率固定的DCM反激式轉(zhuǎn)換器中采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制。圖2所示為初級端開關(guān)電流、次級端二極管電流和MOSFET開關(guān)柵極信號的典型理論波形。
 
 DCM反激式PFC轉(zhuǎn)換器的時(shí)序和輸入電流
圖 2: DCM反激式PFC轉(zhuǎn)換器的時(shí)序和輸入電流
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在導(dǎo)通時(shí)間恒定的條件下,平均輸入電流如下式所示:
 
平均輸入電流

為次級二極管導(dǎo)通時(shí)變壓器初級端的反射電壓。
 
為了確保反激式轉(zhuǎn)換器在DCM模式下以單位功率因數(shù)工作并具備低THD性能,通常使用匝數(shù)比相對較小的變壓器。這類反激式變壓器會導(dǎo)致較小的開關(guān)占空比,使流過MOSFET開關(guān)和變壓器的峰值以及RMS電流變大,從而造成更多功耗損失。由于峰值開關(guān)電流較高,因此需要用到相對較大的EMI濾波器。
 
具有臨界導(dǎo)通工作模式(BCM)的反激式轉(zhuǎn)換器具有零電壓導(dǎo)通特性,可最大程度降低開關(guān)損耗,因此常用作單級PFC轉(zhuǎn)換器。具有BCM工作模式的單級PFC反激式轉(zhuǎn)換器工作原理詳見“參考資料”[2]。與DCM工作模式不同,BCM反激式方法由恒定導(dǎo)通時(shí)間和可變開關(guān)頻率控制。用于PFC的BCM反激式方法適用于需要相對較高PF但總體諧波失真(THD)并不低于10%的很多應(yīng)用。下面的圖3顯示了其初級端開關(guān)電流、次級端二極管電流和MOSFET柵極開關(guān)信號的理論波形。
 
BCM反激式PFC轉(zhuǎn)換器的時(shí)序和輸入電流
圖3: BCM反激式PFC轉(zhuǎn)換器的時(shí)序和輸入電流
 
如“參考資料”[2]中的詳細(xì)介紹,平均輸入電流表述如下:
平均輸入電流表述如下
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很遺憾,上文輸入電流等式中的分母使得電流波形呈現(xiàn)出明顯的非正弦形態(tài),除非比率 非常小。下面的圖4顯示了BCM反激式拓?fù)涞妮斎腚娏鞑ㄐ?,其中RVR為參數(shù)[2]。對輸入電流波形的諧波分析表明,若RVR為2,則很難獲得低于10%的THD。
 
以RVR作為參數(shù)的BCM反激式拓?fù)漭斎腚娏鞑ㄐ? width=
圖4: 以RVR作為參數(shù)的BCM反激式拓?fù)漭斎腚娏鞑ㄐ?/div>
 
在開關(guān)的關(guān)斷期間,開關(guān)上的最大電壓等于峰值輸入電壓加上反射電壓VR。因此,由于MOSFET開關(guān)的額定電壓限制,RVR的可能值范圍僅為1(美國標(biāo)準(zhǔn)輸入電壓)和2至3(歐洲標(biāo)準(zhǔn)輸入電壓)。對于采用通用輸入電壓的照明應(yīng)用而言,為了達(dá)到相對較低的THD,必須使用800 V甚至1000 V MOSFET,以使RVR比率盡可能低。它的開關(guān)頻率也有可能變得非常高,尤其是在高輸入交流電壓的LED調(diào)光應(yīng)用中。
 
仔細(xì)回顧上述表達(dá)式可得出以下結(jié)論:
 
1. 無需作為參考用于MOSFET峰值漏極電流的輸入電壓。如果導(dǎo)通時(shí)間在半周期間是恒定的,則峰值漏極電流將會隨著輸入電壓的變化而變化。
 
2. 輸入電流波形不理想的主要原因是可變頻率,更確切地說是可變占空比。在漏極電流波形相同的情況下,如果占空比在半周期間保持恒定,則輸入電流將會是正弦曲線。
 
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