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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計(jì)電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲(chǔ)能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。
2025-01-20
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如何通過(guò)配置控制器優(yōu)化CAN總線系統(tǒng)性能
控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)可在多個(gè)網(wǎng)絡(luò)站點(diǎn)之間提供強(qiáng)大的通信能力，支持多種數(shù)據(jù)速率和距離。CAN具有數(shù)據(jù)鏈路層仲裁、同步和錯(cuò)誤處理等特性，廣泛用于工業(yè)、儀器儀表和汽車(chē)應(yīng)用之中。在ISO 11898標(biāo)準(zhǔn)的框架下，借助分布式多主機(jī)差分信令和內(nèi)置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協(xié)議針對(duì)物理層和數(shù)據(jù)鏈路層規(guī)定了相應(yīng)的實(shí)現(xiàn)方式。本文旨在描述如何針對(duì)給定應(yīng)用優(yōu)化設(shè)置，同時(shí)考慮控制器架構(gòu)、時(shí)鐘、收發(fā)器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網(wǎng)絡(luò)配置問(wèn)題——包括數(shù)據(jù)速率和電纜長(zhǎng)度——說(shuō)明何時(shí)有必要對(duì)CAN節(jié)點(diǎn)進(jìn)行重新配置，以及如何從一開(kāi)始就實(shí)現(xiàn)對(duì)節(jié)點(diǎn)的優(yōu)化配置。
2025-01-19
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貿(mào)澤與TE Connectivity 和Microchip Technology聯(lián)手推出聚焦汽車(chē)Zonal架構(gòu)的電子書(shū)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球連接器和傳感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新電子書(shū)，深入探討Zonal架構(gòu)如何幫助設(shè)計(jì)師跟上汽車(chē)系統(tǒng)日益復(fù)雜化的步伐，以及它如何從根本上改變車(chē)輛構(gòu)造。
2025-01-19
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-16
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解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問(wèn)題
與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點(diǎn)交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路(IC)?，F(xiàn)代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護(hù)措施。人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來(lái)測(cè)量器件承受ESD事件的能力的器件級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。這些測(cè)試旨在確保器件能承受器件制造和PCB裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環(huán)境中實(shí)施。
2025-01-14
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氣相色譜傳感器解決環(huán)境監(jiān)測(cè)需求
本文概述了用于環(huán)境質(zhì)量監(jiān)測(cè)的氣相色譜傳感器系統(tǒng)的工作原理及其關(guān)鍵組件。文中將介紹氣相色譜法如何精確地分析與水和土壤污染相關(guān)的化合物，探討氣相色譜系統(tǒng)的主要組成部分，包括進(jìn)氣口、溫度控制裝置、檢測(cè)器和電源子系統(tǒng)。此外，我們還將提供低噪聲放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、基準(zhǔn)電壓和電源管理IC方面的建議，以實(shí)現(xiàn)高精度的測(cè)量。
2025-01-13
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開(kāi)始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過(guò)優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開(kāi)關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過(guò)CPU或微機(jī)的輸入信號(hào)直接控制，通過(guò)單電源化和消除光耦來(lái)減小電路板尺寸，并實(shí)現(xiàn)高可靠性。另外，內(nèi)置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數(shù)量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計(jì)變得更加容易，有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計(jì)時(shí)間。
2025-01-12
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基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
得益于固態(tài)電路保護(hù)，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí)，需要考慮幾項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類(lèi)型、熱封裝、器件耐用性以及路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體封裝時(shí)的一些設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過(guò)流保護(hù)限值的重要性。
2025-01-09
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單個(gè)IC也能構(gòu)建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
電動(dòng)汽車(chē)、大型儲(chǔ)能電池組、家庭自動(dòng)化、工業(yè)和電信電源都需要將高電壓轉(zhuǎn)換為±12V，以滿足為放大器、傳感器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和工業(yè)過(guò)程控制器供電的雙極性電源軌需求。所有這些系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)之一是構(gòu)建一個(gè)緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器，它的工作溫度范圍為-40°C至+125°C，這在汽車(chē)和其他高環(huán)境溫度應(yīng)用中尤為重要。
2025-01-08
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充電器 IC 中的動(dòng)態(tài)電源路徑管理
本文討論動(dòng)態(tài)電源路徑管理 (DPPM)，這是當(dāng)今常用的電源管理方案。 DPPM 控制環(huán)路根據(jù)輸入源電流的容量和負(fù)載電流的水平動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)充電電流，以獲得給定源和系統(tǒng)負(fù)載的短充電時(shí)間。借助 DPPM，即使使用深度放電的電池，一旦應(yīng)用輸入源，系統(tǒng)也可以立即獲得電源。還討論了系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)方法。
2025-01-08
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柵極驅(qū)動(dòng)器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車(chē)（EV）等。然而，市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-08
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意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)和電話會(huì)議時(shí)間安排
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年1月30日歐洲證券交易所開(kāi)盤(pán)前公布2024年第四季度及全年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2025-01-08
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