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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關(guān)重要的節(jié)能設(shè)備，ABB傳動(dòng)一直致力于用先進(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價(jià)值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
2022-09-14
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如何抑制IGBT集電極過壓尖峰
在過去的文章中，我們?cè)?jīng)討論過IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，集電極會(huì)產(chǎn)生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會(huì)發(fā)生什么？）。
2022-08-18
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SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度
牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。隨著行業(yè)利用雙驅(qū)動(dòng)裝置提高牽引力，同時(shí)借助 800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2022-08-02
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IGBT安全工作區(qū)（SOA）知多少
失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深層原因與整機(jī)的應(yīng)用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計(jì)是密切相關(guān)的。
2022-07-21
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關(guān)鍵器件，其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小，也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。
2022-07-12
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測(cè)量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2022-06-21
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PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算
在通用變頻器或伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級(jí)來合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動(dòng)很小，因此其通常不會(huì)是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時(shí)也不會(huì)特意去計(jì)算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機(jī)型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來做系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)，這時(shí)就需要計(jì)算整流橋的損耗。而目前我們?cè)诰€仿真工具IPOSIM并不支持，所以在此介紹一種變通的計(jì)算方法，以備您不時(shí)之需。
2022-06-17
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2022-06-17
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時(shí)代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
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保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來看，單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個(gè)MOSFET時(shí)，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
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魚與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對(duì)一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來了額外的挑戰(zhàn)。
2022-06-07
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。
2022-06-03
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