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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業(yè)
功率器件作為半導體產業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發(fā)展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關注。
2021-11-10
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無刷直流 (BLDC) 電機設計：新起點
無刷直流電機(BLDC)設計很復雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅動器產品組合中開始選擇電子器件(舊的起點) 是茫然無助的。
2021-10-22
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IGBT換流回路中雜散電感的測量
換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數據手冊中雜散電感的定義方法。
2021-10-14
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什么情況下應該從硅片轉換到寬帶隙技術？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉換到寬帶隙技術才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應用。這些器件在品質因數 (FoM) 方面不斷改進，加上在拓撲架構和開關機理等方面的進步，使工程師能夠實現更高的系統效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛凌英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫？英飛凌官網在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱系統的等效熱模型
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設計及使用過程中如何保證其可靠運行，一直都是研發(fā)工程師最為關心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運行在安全工作區(qū)以內，還要對器件及系統的熱特性進行精確設計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。
2021-08-23
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關損耗
器件緩沖似乎是處理開關過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對于諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術用為柵極電阻調諧的優(yōu)良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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IGBT驅動器的電流隔離
通常，以以下方式描述IGBT（絕緣柵雙極晶體管）：“ IGBT是場效應晶體管和雙極晶體管的組合，其中N溝道FET控制雙極晶體管”。盡管這句話很好地描述了基礎知識，但在高功率范圍的IGBT應用中，IGBT控制電路的復雜性實際上要比控制小MOSFET時要高得多。
2021-08-13
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