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基于兩級電流變化率檢測IGBT模塊短路的策略
為了解決傳統(tǒng)VCE在檢測大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的短路故障時存在的問題，在分析了IGBT短路特性的基礎(chǔ)上，提出了一種基于兩級電流變化率(di/dt)檢測IGBT兩類短路故障的策略。
2016-08-24
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三菱電機IGBT和IPM比翼齊飛，力保市場優(yōu)勢地位
三菱電機半導(dǎo)體首席技術(shù)官GourabMajumdar博士，在PCIM Asia 2016展會期間提到，三菱電機的功率半導(dǎo)體模塊（包括其在美國合資企業(yè)Powerex）2014年和2015年的銷售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元，約占全球總銷量的23%，位居功率模塊市場首位。
2016-07-07
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DC/DC加強絕緣方案解決變頻器母線電壓監(jiān)測難題
變頻器廣泛應(yīng)用于工業(yè)運動控制，電力，新能源，電梯，空調(diào)，機械制造等行業(yè)，它通過對工作頻率的控制和改變，讓設(shè)備運行的更加高效節(jié)能，從而得以大量應(yīng)用。由于變頻器中的電力電子器件例如IGBT快速的開關(guān)導(dǎo)致的dv/dt干擾，使得變頻器母線電壓監(jiān)測問題變得非常困難，本文主要針對這一問題進行分析，并提出解決方案。
2016-06-27
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安森美汽車電子龐大銷售市場帶動半導(dǎo)體行業(yè)需求與日俱增
3月中旬，安森美在上海舉辦一場汽車電子產(chǎn)品線路巡演，展示其半導(dǎo)體產(chǎn)品的路線圖和市場趨勢。根據(jù)安森美提供的資料顯示，去年的年收入達到了35億美元，其中汽車電子占了33%，可以說，汽車電子帶來的穩(wěn)定收入足以讓安森美在行業(yè)不景氣的大環(huán)境下高枕無憂。他們對于的半導(dǎo)體需求傳感器、功率器件、圖像傳感器、通信接口、IGBT、保護器件、無線充電、車載網(wǎng)絡(luò)、馬達控制、LED驅(qū)動和電源管理IC也是與日俱增。
2016-04-01
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詳解三種為IGBT“保駕護航”的驅(qū)動電路和保護方法
本文著重介紹了三個為IGBT“保駕護航”的驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，對IGBT驅(qū)動電路的基本要求如下。
2016-01-06
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專家解析：提高逆變效率的變壓器拓撲方法
熟悉逆變器設(shè)計的工程師都知道，要想設(shè)計出最劃算、性價比最高的變壓器，最明智的選擇就是使用IGBT，使用IGBT的非線性特性能夠使得導(dǎo)通壓降增加緩慢，從而大幅度降低了變壓器損耗，有效地提升逆變效率。本文就來由專家詳細講解高逆變效率的拓撲和技術(shù)。
2015-12-21
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提高晶閘管dV/dt耐受性的設(shè)計訣竅，你知道嗎？
晶閘管(SCR)是一種半導(dǎo)體開關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)代開關(guān)領(lǐng)域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們在兆瓦級開關(guān)器件領(lǐng)域仍無可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應(yīng)用于機車驅(qū)動器中，或用來控制鋁材生產(chǎn)廠中的電爐等。
2015-12-07
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對比分析：DC-DC變換器的硬開關(guān)MOS和IGBT損耗對比
DC-DC變換器具有兩種啟動運行方式，分別是硬開關(guān)和軟開關(guān)。但是硬開關(guān)的開關(guān)盒關(guān)斷兩種損耗是不同的。具體損耗的程度我們來看一下這兩種損耗的對比分析。
2015-08-17
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解析：IGBT的驅(qū)動過流保護電路的設(shè)計方案
本文針對IGBT的驅(qū)動過流保護問題，設(shè)計出模塊驅(qū)動過流保護電路、分離元件驅(qū)動過流保護電路。文中詳細分析了兩種不同的驅(qū)動過流保護電路的工作原理和優(yōu)缺點。下面就跟小編一起回顧。
2015-07-22
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行家指點迷津：精準選擇電動汽車的IGBT緩沖電路
電動汽車已經(jīng)憑借方便快捷的優(yōu)勢進入了千家萬戶。但是電動汽車能源問題依舊沒有解決。本文就由行家為我們指點迷津，精準選擇電動汽車DC-DC變換器緩沖器，看看電動汽車變換器應(yīng)該選擇什么樣的IGBT緩沖電路更合適。
2015-07-14
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技術(shù)精講：優(yōu)化電機控制中IGBT直通電流的關(guān)鍵步驟
電機控制中用到最多的就是半橋式電路中的IGBT，而在這種應(yīng)用中也要確定IGBT的大小，那么如何去優(yōu)化大小呢？步驟就是基于開關(guān)功耗、產(chǎn)生的EMI，直通電流和可導(dǎo)致故障的可能性之間的權(quán)衡。所有這些因素都隨應(yīng)用環(huán)境變化，包括母線電壓和開關(guān)電流大小，這些綜合起來確定IGBT的大小。
2015-07-08
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SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源分析
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-23
- 學(xué)子專區(qū) － ADALM2000實驗：多相濾波電路
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