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技術(shù)詳解：新一代場截止陽極短路IGBT
本文介紹以類似MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT。與最佳競爭產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊缕骷沟肍S IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開關(guān)應(yīng)用。
2014-08-28
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一種可實(shí)現(xiàn)IGBT平滑切換的不對稱輸出的方法
IGBT在電力電子領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是不可或缺的組成部分。還廣泛應(yīng)用于高電壓、大功率負(fù)載切換。在這種情況下，必須使用具有良好絕緣性能的隔離電源轉(zhuǎn)換器，以確保綠色能源要求，能夠安全可靠地為我們服務(wù)。那么如何實(shí)現(xiàn)IGBT平滑切換的不對稱輸出呢？本文將為大家講解。
2014-04-15
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對于IGBT系統(tǒng)的電路保護(hù)新型與傳統(tǒng)型的較量
IGBT作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。為使我們設(shè)計的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護(hù)顯得尤為重要。那么新型保護(hù)電路與傳統(tǒng)的保護(hù)電路又有那些根本上的不同呢？
2014-03-26
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IGBT保護(hù)電路的主要內(nèi)容
失效隨著IGBT在國內(nèi)的迅猛發(fā)展，IGBT保護(hù)電路在各行業(yè)中的應(yīng)用越來越多，由于IGBT保護(hù)電路失效機(jī)理很多人不明白它的失效防護(hù)，本文對此作一闡述。
2014-03-22
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匯總常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關(guān)斷時需要一定的動態(tài)驅(qū)動功率。本文匯總了一些常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)，給大家分享分享！
2014-03-04
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頂級分享！讓IGBT跑的更快小竅門！
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。那么如何讓IGBT性能更好，跑的更快呢？請看本文分享~
2014-02-16
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實(shí)例解析IGBT對EMC影響的兩大技術(shù)問題
在電子元件技術(shù)網(wǎng)論壇中，網(wǎng)友碰到兩道棘手的技術(shù)問題，曾經(jīng)查找很多技術(shù)資料都無法解決，故網(wǎng)友將自己的疑惑分享在論壇中，期望個中高手幫忙解答。此問題均是跟EMC有關(guān)，是網(wǎng)友在工作中碰到的實(shí)際問題。如今小編將問題陳列出來，望廣大EMC高手幫忙解答！
2014-02-12
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省電專家：如何降低電磁爐應(yīng)用中的IGBT損耗
近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增 加，因?yàn)槿剂腺Y源變得更為緊缺，公用事業(yè)公司因此而漲價。為了將從電網(wǎng)獲得的功率提升至最高，并因此使電費(fèi)賬單支出受控及減少碳排放，付出更多努力來為室 內(nèi)環(huán)境開發(fā)更高能效的電器就至關(guān)重要了。
2014-01-21
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將應(yīng)用在電磁感應(yīng)加熱中的IGBT的功率損耗降到最低
近年來，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國家是這樣，新興國家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加，因?yàn)槿剂腺Y源變得更為緊缺，公用事業(yè)公司因此而漲價。為了將從電網(wǎng)獲得的功率提升至最高，并因此使電費(fèi)賬單支出受控及減少碳排放，付出更多努力來為室內(nèi)環(huán)境開發(fā)更高能效的電器就至關(guān)重要了。
2013-12-19
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安森美半導(dǎo)體IGBT，實(shí)現(xiàn)高能效的高性能開關(guān)應(yīng)用
針對不同應(yīng)用選擇合適的IGBT實(shí)現(xiàn)高能效的器件，安森美半導(dǎo)體提供了豐富的分立式IGBT方案，廣泛用于電磁爐、不間斷電源(UPS )、太陽能逆變器和逆變電焊機(jī)等領(lǐng)域。
2013-11-21
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如何通過光隔離放大器感應(yīng)電流保護(hù)IGBT
IGBT作為變頻器中最昂貴的器件，極易因短路、過載和過電壓等情況而造成損壞，因此需要進(jìn)行充分的保護(hù)。本文將討論在高成本效益前提下，如何通過光隔離放大器來保護(hù)IGBT避免受到電流過高和過電壓等情況的影響，并列舉了一些錯誤的IGBT保護(hù)情況和問題。
2013-11-07
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針對高功率模塊Amantys Power DriveTM驅(qū)動器進(jìn)攻中國市場
近日，Amantys針對高功率模塊的4500V Amantys Power DriveTM 驅(qū)動器進(jìn)入中國市場。4.5kV柵極驅(qū)動器可滿足電力機(jī)車、風(fēng)力發(fā)電機(jī)組、高壓直流和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用不斷增長的高壓IGBT市場需求。
2013-10-23
- 學(xué)子專區(qū) － ADALM2000實(shí)驗(yàn)：多相濾波電路
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