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第二講：基于IGBT的高能效電源設(shè)計(jì)
時(shí)至今日，綠色、環(huán)保、低能耗、高能效等理念時(shí)刻影響著消費(fèi)者的決策。為此，廣大設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)就需要盡量降低能耗，實(shí)現(xiàn)高能效。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)者應(yīng)對他們所面臨的設(shè)計(jì)具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。本文就為大家分析基于IGBT的高能效電源設(shè)計(jì)。
2013-05-10
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半月談：IGBT應(yīng)用設(shè)計(jì)全面剖析
IGBT是電力電子重要大功率主流器件之一，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。那么該如何做好IGBT的保護(hù)及設(shè)計(jì)呢？國內(nèi)市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好，今后的發(fā)展趨勢又將如何？
2013-05-09
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SiC BJT：比同類產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個(gè)替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開關(guān)頻率，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用對比
IGBT因其電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)被廣泛用于變頻器的逆變電路中,但隨著電力電子制造技術(shù)的發(fā)展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大，本文將針對IGCT、IEGT與IGBT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行對比。
2013-05-08
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IGBT市場能否迎來“第二春”
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。國內(nèi)市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好。但隨著各國政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，IGBT市場還能再度增長嗎？
2013-05-03
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美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用
美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用。
2013-04-07
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。它允許更高的開關(guān)頻率，但能保持相同或更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統(tǒng)BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或以更小的外形尺寸提供相同輸出功率。
2013-03-29
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突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)
目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。 本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案。
2013-03-25
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飛兆半導(dǎo)體推出可簡化設(shè)計(jì)的智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
飛兆半導(dǎo)體推出具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器。該器件是一個(gè)先進(jìn)2.5A的輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可驅(qū)動(dòng)大部分1200V/150A IGBT。
2013-03-22
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如何精簡、低成本的保護(hù)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT
IGBT目前被廣泛應(yīng)用在馬達(dá)或可再生能源系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換器上，雖然有多種不同技術(shù)可以用于IGBT驅(qū)動(dòng)，但柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器由于提供了電氣隔離與共模抑制能力，因此成為最佳成本效益的選擇。為了強(qiáng)化這類高電壓且快速切換應(yīng)用的可靠度與安全性，整合型柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器與隔離放大器可以使IGBT的保護(hù)更精簡、成本更低并且更加容易實(shí)現(xiàn)。
2013-03-08
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如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過流保護(hù)？
本文介紹一種采用分立元件組成的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，可以降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。該驅(qū)動(dòng)電路能夠?yàn)?span id="t7dhztl" class='red'>IGBT提供+15v和-5V驅(qū)動(dòng)電壓確保IGBT的開通和關(guān)斷。同時(shí)具有過流保護(hù)功能，當(dāng)過流時(shí)，保護(hù)電路起作用，及時(shí)的關(guān)斷IGBT，防止IGBT損壞，本電路的可根據(jù)負(fù)載的需要?jiǎng)討B(tài)調(diào)節(jié)最大電流，可以有很廣的使用范圍。
2013-03-07
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IGBT是什么？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2013-02-22
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