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“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點，也將用于Intel 18A。
2024-09-16
晶體管
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MEMS 麥克風中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇
本文將詳細討論脈沖密度調制 (PDM) 和集成電路內置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡介它們的獨特特性以及在系統(tǒng)設計時的優(yōu)缺點。工程師具體選擇哪一種，將取決于對兩種技術的研究，并要了解哪種協(xié)議對于特定應用更適合。
2024-09-15
MEMS 麥克風 PDM I2S 數(shù)字輸出接口
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基于大數(shù)據(jù)與深度學習的穿戴式運動心率算法
在數(shù)字化與智能化技術迅猛發(fā)展的背景下，智能手表、智能戒指等穿戴式設備已悄然改變我們的日常生活，尤其在健康管理和運動表現(xiàn)優(yōu)化方面取得了顯著的成就。借助這些智能設備，監(jiān)測運動心率成為提升個人健身和運動性能的關鍵手段。
2024-09-15
大數(shù)據(jù) 穿戴式 運動心率算法
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第5講：SiC的晶體缺陷
SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-09-12
SiC 晶體缺陷
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如何正確使用二極管
二極管和晶體管都是如此，它們由二極管 P 和 N 材料制成。二極管類別包括兩個可能對控制工程師很重要的例子：硅二極管和 LED。
2024-09-12
二極管
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半導體后端工藝 第十一篇（完結篇）：半導體封裝的可靠性測試及標準
本系列文章詳細介紹了半導體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導體封裝、封裝工藝及材料等各個方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導體的可靠性測試及標準。除了詳細介紹如何評估和制定相關標準以外，還將介紹針對半導體封裝預期壽命、半導體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機械可靠性等評估...
2024-09-12
半導體 后端工藝 封裝
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為什么存儲系統(tǒng)的性能對AI工作負載至關重要？
數(shù)據(jù)是各種現(xiàn)代企業(yè)的生命線，而數(shù)據(jù)存儲、訪問與管理策略對企業(yè)的生產(chǎn)力、盈利能力以及競爭力會產(chǎn)生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業(yè)都在經(jīng)歷變革，企業(yè)不得不重新思考如何利用數(shù)據(jù)來加速創(chuàng)新和增長。然而，AI訓練和推理對數(shù)據(jù)管理和存儲提出了獨特的挑戰(zhàn)，因為它們需要處理龐大的數(shù)...
2024-09-11
存儲系統(tǒng) AI 工作負載
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邊界工況推動下，汽車圖像傳感器的四大發(fā)展方向
隨著自動駕駛等級進階，搭載的攝像頭數(shù)量越來越多性能越來越高。為幫助自動駕駛車輛描繪出一幅幅精準細膩的“路況圖”，其幕后英雄圖像傳感器正在嶄露頭角，高分辨率、高動態(tài)范圍等技術方向的推進迫在眉睫。
2024-09-11
汽車 圖像傳感器
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開關模式電源問題分析及其糾正措施：檢測電阻器違規(guī)
本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見的開關模式電源(SMPS)的設計問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關穩(wěn)壓器的反饋級設計中面臨的復雜難題，重點關注檢測電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對于確保反饋網(wǎng)絡（負責維持輸出電壓）接收來自電感電流的準確信號而言至關重要。失真的信號可能會...
2024-09-10
開關模式 電源 電阻器
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