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羅姆開(kāi)始量產(chǎn)SiC制SBD

發(fā)布時(shí)間:2010-05-14

產(chǎn)品特性:
  • 高耐壓化
  • 大電流化
應(yīng)用范圍:
  • 功率元件
     
羅姆的SiC功率元件終于踏上了量產(chǎn)之路。具體就是,輸出電流為10A的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)“SCS110A系列”從4月下旬開(kāi)始了量產(chǎn)供貨。羅姆從2005年開(kāi)始供貨SiC制SBD的工程樣品,但量產(chǎn)“尚為首次”(該公司)。

之前除了SBD及MOSFET等SiC功率元件之外,羅姆還開(kāi)發(fā)出了采用這些元件的模塊,并于2009年收購(gòu)了從事制作元件時(shí)不可或缺的SiC底板業(yè)務(wù)的德國(guó)SiCrystal等,確立了一條龍生產(chǎn)SiC功率元件的體制。SCS110A系列將利用SiCrystal的底板。前工序由位于福岡縣的ROHM APOLLO DEVICE,后工序由位于泰國(guó)的ROHM Integrated System(泰國(guó))擔(dān)任。

SCS110A系列的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)為15ns。據(jù)稱,比原來(lái)的硅制快恢復(fù)二極管(FRD)的35ns~50ns要短。這樣,恢復(fù)時(shí)的損耗可減至原來(lái)的三分之一左右。10A電流時(shí)的順?lè)较螂妷簽闃?biāo)準(zhǔn)1.5V。耐壓為600V。

該公司還介紹說(shuō),量產(chǎn)時(shí)解決了“肖特基接觸勢(shì)壘”的均勻性,以及無(wú)需高溫處理的高電阻保護(hù)套層形成等課題。
今后,除了實(shí)現(xiàn)SBD產(chǎn)品的高耐壓化及大電流化之外,該公司還準(zhǔn)備擴(kuò)充配備MOSFET及SiC功率元件的IPM(智能功率模塊)等SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容。
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