- “HiSIM2：Hiroshima-university STARC IGFET Model 2”已成為國際標準
- 可模塊化的特點使諸如HiSIM_HV等擴展模型更容易開發(fā)
日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）宣布，其與廣島大學(xué)三浦研究室合作開發(fā)的電路模擬用MOS晶體管模型“HiSIM2：Hiroshima-university STARC IGFET Model 2”已成為國際標準。電路模擬用晶體管模型的國際標準化機構(gòu)“Compact Model Council：CMC”在2011年3月31日和4月1日于美國舊金山舉行的會議上，選擇HiSIM2作為Bulk基板MOS晶體管的CMC標準模型。
HiSIM2是考慮了從MOS晶體管源極至漏極間電位分布的電位模晶體管型。與20世紀90年代開發(fā)的BSIM等將晶體管內(nèi)部作為黑箱來處理的閾值電壓模型相比，可更準確地處理晶體管的動作。BSIM3和BSIM4都于20世紀90年代被選作CMC標準模型，但后來隨著微細化的發(fā)展，在準確度和處理時間（收斂性）上問題凸顯，因此CMC決定征集取代BSIM的新一代模型。
除準確度和收斂性出色外，HiSIM2還具有可模塊化的特點。因此，容易開發(fā)諸如HiSIM_HV等擴展模型。HiSIM_HV是在HiSIM2掌控的Bulk MOS晶體管模型旁邊增加漂移方面的模型而開發(fā)出來的。此外，在HiSIM_HV中增加BJT的模型就開發(fā)出了“HiSIM-IGBT”。HiSIM-IGBT是由豐田中央研究所和豐田汽車分別與廣島大學(xué)合作研發(fā)出來的。
另外，據(jù)STARC介紹，HiSIM2和HiSIM_HV的開發(fā)得到了日本獨立行政法人新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）的資助，從而加速了標準化。
