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如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化？
近年來(lái)隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長(zhǎng)，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）總線接口被應(yīng)用到越來(lái)越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號(hào)線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問(wèn)題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來(lái)了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-07
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基于傳感器內(nèi)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，可顯著降低傳感器功耗
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，亞利桑那州立大學(xué)（Arizona State University）介紹了一種片上模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，該技術(shù)利用基于儲(chǔ)層計(jì)算范式的模擬超維計(jì)算，在本地傳感器內(nèi)處理心電圖（electrocardiograph，ECG）信號(hào)，并將射頻（RF）傳輸減少三個(gè)數(shù)量級(jí)以上。片上模擬-信息轉(zhuǎn)換器不是傳輸稀疏的ECG信號(hào)或提取的特征，而是通過(guò)一個(gè)附有人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的非線性存儲(chǔ)內(nèi)核來(lái)分析ECG信號(hào)，并傳輸預(yù)測(cè)結(jié)果。所開(kāi)發(fā)的技術(shù)被證明可用于檢測(cè)敗血癥發(fā)作，并實(shí)現(xiàn)了超高的準(zhǔn)確度和能效，同時(shí)使用65nm CMOS原型測(cè)試芯片將傳感器功耗降低了159倍。
2022-12-06
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新型的工業(yè)級(jí)TMR角度傳感器
在 IoT 市場(chǎng)、工業(yè)設(shè)備以及消費(fèi)類方面的應(yīng)用中，常需要傳感器來(lái)感測(cè)角度，使設(shè)備能夠進(jìn)行精確的運(yùn)動(dòng)或是進(jìn)行相對(duì)應(yīng)的判斷，其中一種新型的 TMR （Tunnel Magneto-resistance）傳感器便具有高靈敏度、低功耗、高線性度、低溫度依賴性等優(yōu)勢(shì)。本文將為您介紹TMR傳感器的特色，以及由Murata銷售的Crocus Technology TMR角度傳感器的產(chǎn)品特性。
2022-12-05
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AR眼鏡中的顯示技術(shù)：虛擬超脫想象之外，包羅萬(wàn)象卻基于現(xiàn)實(shí)
近幾年，元宇宙如一陣熱風(fēng)，吹起了無(wú)數(shù)人對(duì)于“科技、夢(mèng)幻與未來(lái)”的想象。隨著“元宇宙”的火爆，作為其硬件載體的AR、VR設(shè)備成為了科技創(chuàng)新的重要領(lǐng)域之一。AR增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（Augmented Reality，簡(jiǎn)稱AR），是指透過(guò)攝影機(jī)影像的位置及角度精算并加上圖像分析技術(shù)，讓屏幕上的虛擬世界能夠與現(xiàn)實(shí)世界場(chǎng)景進(jìn)行結(jié)合與交互的技術(shù)。
2022-12-05
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5G毫米波有源陣列封裝天線技術(shù)研究
提出了一種5G 毫米波有源陣列封裝天線。該陣列由8×16 個(gè)微帶天線單元組成，通過(guò)耦合式差分饋電，天線實(shí)現(xiàn)了寬帶匹配和方向圖高度對(duì)稱特性。通過(guò)對(duì)天線與芯片進(jìn)行合理布局，減小了芯片射頻端口到天線子陣的饋電線損，提高了有源陣列天線的整體效率。測(cè)試結(jié)果表明，該陣列天線在工作頻段為24．25～ 27．5 GHz 的等效全向輻射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大于60 dBm，并且陣列波束掃描至±30°、±60°時(shí)的增益下降分別不超過(guò)0．6 dB、4．1 dB，具有良好的寬角度波束掃描特性。
2022-12-02
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【干貨】拋開(kāi)教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管
我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開(kāi)關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開(kāi)；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開(kāi)關(guān)被松開(kāi)了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡(jiǎn)單。
2022-11-28
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基于英飛凌TC275的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)方案
電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（Eelectric Power Steering 簡(jiǎn)稱 EPS 是一種直接依靠電機(jī)提供輔助扭矩的動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) 。它作為一種新型助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)與已有幾十年發(fā)展歷史的傳統(tǒng)液壓轉(zhuǎn)向技術(shù)相比，具有諸多優(yōu)點(diǎn)。
2022-11-17
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純固態(tài)+補(bǔ)盲 車載激光雷達(dá)競(jìng)爭(zhēng)迎來(lái)新局面
禾賽科技正式發(fā)布了面向ADAS前裝量產(chǎn)車的純固態(tài)近距補(bǔ)盲激光雷達(dá)FT120。11月7日，速騰聚創(chuàng)在其Tech Day上也發(fā)布了基于自研芯片和全新技術(shù)平臺(tái)的全固態(tài)補(bǔ)盲激光雷達(dá)RS-LiDAR-E1，也同樣面向前裝量產(chǎn)。而在更早的5月份，亮道智能就已經(jīng)率先發(fā)布了其第一代純固態(tài)側(cè)向補(bǔ)盲激光雷達(dá)產(chǎn)品LDSatellite。
2022-11-17
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
在功率開(kāi)關(guān)器件最常見(jiàn)的應(yīng)用中，包括與上一篇文章中提到的雙脈沖測(cè)試電路相同的橋式結(jié)構(gòu)。對(duì)于橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為，在Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)SiC功率元器件的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”和這篇文章所依據(jù)的應(yīng)用指南“橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極電壓的行為”中，介紹了相互影響的動(dòng)作情況。
2022-11-16
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讓電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)更靈活，成本更優(yōu)的反激控制器
在全球氣候變暖和和雙碳的背景下，以電能驅(qū)動(dòng)車輛的交通方式在未來(lái)出行將占據(jù)主要地位。牽引逆變器（Traction Inverter）作為新能源汽車中重要的信號(hào)和能量傳遞部件，將動(dòng)力電池輸出的直流電逆變?yōu)槿嘟涣麟婒?qū)動(dòng)電機(jī)，同時(shí)接收來(lái)自整車控制器和控制機(jī)構(gòu)（制動(dòng)踏板、油門踏板、換擋機(jī)構(gòu)）的信息對(duì)電機(jī)的工作加以控制。德州儀器可在此應(yīng)用中提供符合AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的反激控制器電源方案。
2022-11-11
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Interlock互鎖電路在不同驅(qū)動(dòng)器下的實(shí)現(xiàn)
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變電源等應(yīng)用中，橋式電路是最基本的拓?fù)?，典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂，其上下管一般采用180°導(dǎo)通方式，即上下管互補(bǔ)開(kāi)關(guān)，為避免上下管直通，可采用插入死區(qū)的方式把上下管導(dǎo)通時(shí)刻錯(cuò)開(kāi)。但是，實(shí)際應(yīng)用中微控制器可能因?yàn)槌绦蝈e(cuò)亂或上電過(guò)程中IO默認(rèn)高電平等原因，使得上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)同時(shí)為高電平（有效電平），從而上下管發(fā)生同時(shí)導(dǎo)通（Shoot Through），這將可能帶來(lái)燒壞功率模塊的嚴(yán)重后果。Interlock即互鎖電路就是針對(duì)該工況而設(shè)計(jì)的，可有效提高系統(tǒng)可靠性。
2022-11-09
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基于DRV824X-Q1系列的TEC控制系統(tǒng)
在聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)（Polymerase chain reaction, PCR）設(shè)備中，需要通過(guò)控制試管內(nèi)的溫度使得管內(nèi)的DNA進(jìn)行高溫變性（將DNA解螺旋為雙鏈DNA）、低溫退火（將引物與模板DNA進(jìn)行互補(bǔ)配對(duì)）、中溫延伸（在恒溫的作用下進(jìn)行擴(kuò)增）。圖1展示了NDA復(fù)制的溫度控制周期。
2022-11-09
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